品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），123A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 毫欧 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），136W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），123A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 毫欧 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），136W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），123A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 毫欧 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），136W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A (Ta), 123A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7mOhm 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.8W (Ta), 136W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SO-8FL-4

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 80 V

Id-连续漏极电流： 123 A

Rds On-漏源导通电阻： 3.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 46 nC

Pd-功率耗散： 136 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 21 ns

产品类型： MOSFET

上升时间： 98 ns

典型关闭延迟时间： 49 ns

典型接通延迟时间： 22 ns

单位重量： 750 mg

温度： - 55 C~+ 175 C