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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS4C09NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.235881 +10：￥16.82384 +30：￥14.019907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1252 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 760mW（Ta），25.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS4C09NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.33096 +10：￥13.298488 +30：￥12.019997	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1252 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 760mW（Ta），25.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS4C09NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥2.474204 +3000：￥2.309275 +7500：￥2.193815 +10500：￥2.11135	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1252 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 760mW（Ta），25.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTMFS4C09NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥6.052558 +3000：￥5.649098 +7500：￥5.366651 +10500：￥5.164921	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1252 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 760mW（Ta），25.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTMFS4C09NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.29487 +10：￥11.897552 +100：￥9.280632 +500：￥7.666527	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NTMFS4C09NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.29487 +10：￥11.897552 +100：￥9.280632 +500：￥7.666527	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS4C09NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL 下载数据手册未分类	+1：￥15.401175 +10：￥13.636457 +100：￥10.636436 +500：￥8.791505 +1000：￥7.171172	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 1500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS4C09NT1G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R 下载数据手册未分类	+1500：￥4.563646	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTMFS4C09NT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.8 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.9 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1252 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	760mW（Ta），25.5W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳:	8-PowerTDFN，5 引线
温度:	-55°C # 150°C（TJ）