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NSVMUN5332DW1T1G_晶体管-双极
NSVMUN5332DW1T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

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晶体管-双极
+1：

￥1.936242

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￥1.645842

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￥1.355321

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￥1.210121

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￥1.113321

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 250mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度：

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NSVMUN5332DW1T1G_未分类
NSVMUN5332DW1T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

未分类
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￥1.990197

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￥1.595182

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￥1.425875

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￥1.214556

+500：

￥1.120556

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 250mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

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NSVMUN5332DW1T1G
ON(安森美)
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TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

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未分类
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￥0.958499

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￥0.94153

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￥0.924561

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￥0.907592

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￥0.899053

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国内：1~2 天

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NSVMUN5332DW1T1G_晶体管-双极
NSVMUN5332DW1T1G
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TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

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晶体管-双极
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￥0.686691

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￥0.645043

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￥0.603448

+30000：

￥0.553523

+75000：

￥0.532673

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 250mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

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NSVMUN5332DW1T1G_晶体管-双极
NSVMUN5332DW1T1G
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TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

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晶体管-双极
+3000：

￥1.679828

+6000：

￥1.577945

+15000：

￥1.476194

+30000：

￥1.354064

+75000：

￥1.303057

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 250mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度：

NSVMUN5332DW1T1G_晶体管-双极
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晶体管-双极
+1：

￥5.840397

+10：

￥4.789126

+100：

￥3.257643

+500：

￥2.443363

+1000：

￥1.832458

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值： 250mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

NSVMUN5332DW1T1G_晶体管-双极
NSVMUN5332DW1T1G
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授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

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晶体管-双极
+1：

￥5.840397

+10：

￥4.789126

+100：

￥3.257643

+500：

￥2.443363

+1000：

￥1.832458

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值： 250mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mouser
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TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

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+1：

￥6.018231

+10：

￥4.965041

+100：

￥3.433127

+500：

￥2.585104

+1000：

￥1.942248

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： *

系列： MUN5332DW1

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

商标： onsemi

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

资格： AEC-Q101

单位重量： 6.200 mg

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艾睿
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Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R

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+1：

￥5.378496

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￥4.160588

+100：

￥3.352458

+500：

￥2.492928

+1000：

￥1.707641

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货期：7~10 天

 暂无参数

NSVMUN5332DW1T1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 15 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 250mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
温度: