品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7毫欧 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6655 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 176W（Tj）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK-3（TO-263-3）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7毫欧 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6655 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 176W（Tj）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK-3（TO-263-3）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7毫欧 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6655 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 176W（Tj）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK-3（TO-263-3）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： D2PAK-3 (TO-263)

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 110 A

Rds On-漏源导通电阻： 2.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 110 nC

Pd-功率耗散： 176 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 13 ns

产品类型： MOSFET

上升时间： 52 ns

典型关闭延迟时间： 36 ns

典型接通延迟时间： 36 ns

单位重量： 4 g

温度： - 55 C~+ 175 C