品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 200mA，5V

功率 - 最大值： 900 mW

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 长体

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 200mA，5V

功率 - 最大值： 900 mW

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 长体

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 200mA，5V

功率 - 最大值： 900 mW

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 长体

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： TO-92-3

系列： KSA1013

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 160 V

集电极—基极电压 VCBO： - 160 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 6 V

集电极—射极饱和电压： - 1.5 V

最大直流电集电极电流： - 1 A

Pd-功率耗散： 900 mW

增益带宽产品fT： 50 MHz

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： - 1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 60

直流电流增益 hFE 最大值： 320

高度： 8 mm

长度： 4.9 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 3.9 mm

零件号别名： KSA1013YBU_NL

单位重量： 180 mg

温度： -~+ 150 C