品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 300 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 250nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 30mA，10V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 300 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 250nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 30mA，10V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 300 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 250nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 30mA，10V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 300 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 250nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 30mA，10V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 300 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 250nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 30mA，10V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）