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IXBT42N170-TRL_未分类
IXBT42N170-TRL
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Digi-Key
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IXBT42N170-TRL_晶体管-IGBT
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: BIMOSFET™

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 1700 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.8V 15V,42A

功率 - 最大值: 360 W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 188 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 37ns/340ns

测试条件: 850V,42A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

供应商器件封装: TO-268

温度: -

Mouser
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IXBT42N170-TRL_未分类
IXBT42N170-TRL
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: BIMOSFET™

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 1700 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.8V 15V,42A

功率 - 最大值: 360 W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 188 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 37ns/340ns

测试条件: 850V,42A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

供应商器件封装: TO-268

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IXBT42N170-TRL参数规格

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