搜索 IGB50N65S5ATMA1 共 4 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +1000： ￥21.86732 +2000： ￥21.54804 +5000： ￥19.63261 +10000： ￥19.153814 | |||
 | 授权代理品牌 | +1： ￥42.2576 +10： ￥37.982417 +25： ￥35.911547 +100： ￥28.730226 +250： ￥27.134816 | 系列： TrenchStop™ 5 工作温度： -40°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3 | ||
 | 授权代理品牌 | 1+: | 系列： TrenchStop™ 5 工作温度： -40°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| IGB50N65S5ATMA1 授权代理品牌 | +： ￥ +： ￥ +： ￥ |
IGB50N65S5ATMA1参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | TrenchStop™ 5 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 80 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 200 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 1.7V 15V，50A |
| 功率 - 最大值: | 270 W |
| 开关能量: | 1.23mJ（开），740µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 120 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 20ns/139ns |
| 测试条件: | 400V，50A，8.2 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | - |
| 工作温度: | -40°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装: | PG-TO263-3 |
| 温度: | -40°C # 175°C（TJ） |