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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.089812 +10：￥3.690512 +50：￥3.371072 +150：￥3.158112 +300：￥3.025012	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥14.033376 +100：￥10.019808 +300：￥7.66152 +500：￥6.505488 +1000：￥5.85144	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.394049 +10：￥6.574822 +30：￥6.154705 +100：￥5.745092 +500：￥5.503525	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.43882 +100：￥3.37953 +1000：￥3.32024	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥4.249128	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥6.142762 +8000：￥5.850184 +12000：￥5.580161	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥14.828255 +10：￥12.149202 +100：￥9.45021 +500：￥8.010248 +1000：￥6.52518	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥14.828255 +10：￥12.149202 +100：￥9.45021 +500：￥8.010248 +1000：￥6.52518	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥17.631341 +10：￥15.840659 +100：￥12.397037 +250：￥12.383262 +500：￥10.427286	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7319TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+1：￥15.010809 +10：￥14.234072 +25：￥14.08344 +100：￥10.948984 +250：￥10.837646	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF7319TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	29 毫欧 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	650pF 25V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）