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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.934855 +10：￥2.692305 +30：￥2.643795 +100：￥2.498265	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥8.829975 +300：￥5.97135 +1000：￥4.383225 +4000：￥3.17625 +8000：￥3.017498	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.890108 +10：￥3.190763 +30：￥2.84109 +100：￥2.491418 +500：￥2.272872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7319TRPBF TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+5：￥1.55965 +50：￥1.216642 +150：￥1.06967 +500：￥0.886202 +3000：￥0.763707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.636478	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥3.118954 +8000：￥2.970399 +12000：￥2.833296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥6.871689 +8000：￥6.568317	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥26.466639 +10：￥16.782602 +100：￥11.252147 +500：￥8.878105 +1000：￥8.114244	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥26.466639 +10：￥16.782602 +100：￥11.252147 +500：￥8.878105 +1000：￥8.114244	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7319TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥19.401986 +10：￥13.664306 +100：￥10.695967 +500：￥9.17034 +1000：￥8.341195	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7319TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	29 毫欧 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	650pF 25V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）