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	IRFHM830TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥9.175968 +100：￥6.551424 +300：￥5.009472 +500：￥4.253904 +1000：￥3.826224	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2155 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN 双（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFHM830TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.676872 +10：￥3.890108 +30：￥3.496726	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2155 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN 双（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFHM830TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.916277	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2155 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN 双（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFHM830TRPBF 授权代理品牌	IRFHM830TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.653277 +5：￥2.586945 +10：￥2.520613 +30：￥2.454281 +50：￥2.41006	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFHM830TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.565485 +100：￥2.865122 +1000：￥2.546775 +2000：￥2.406703 +4000：￥2.292098	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2155 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN 双（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHM830TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.098195	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2155 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN 双（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFHM830TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥5.353669	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2155 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN 双（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFHM830TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.666221 +10：￥11.281223 +100：￥8.795329 +500：￥7.265676 +1000：￥5.736023	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-VQFN Exposed Pad 供应商器件封装： PQFN (3x3)
IRFHM830TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.666221 +10：￥11.281223 +100：￥8.795329 +500：￥7.265676 +1000：￥5.736023	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-VQFN Exposed Pad 供应商器件封装： PQFN (3x3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHM830TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥10.28998 +10：￥8.722737 +100：￥7.218817 +500：￥6.474772 +1000：￥5.461606	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2155 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN 双（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFHM830TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	21A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.8 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	31 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2155 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.7W（Ta），37W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN 双（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）