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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T 授权代理品牌	N沟道耐压:100V 电流:180A 类型:N沟道阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):180A 功率(Pd):480W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.4mΩ@25A,10V 下载数据手册未分类	+1：￥24.160194 +200：￥9.353743 +500：￥9.025925 +1000：￥8.862016	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	耐压： 100V 电流： 180A 类型： N沟道阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA 漏源电压(Vdss)： 100V 连续漏极电流(Id)： 180A 功率(Pd)： 480W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6.4mΩ@25A,10V

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.2024	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 151 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263AA 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 151 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263AA 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.16985 +10：￥28.679508 +100：￥23.201328 +500：￥20.623648 +1000：￥17.658979	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 151 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263AA 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥83.588507 +10：￥70.157676 +100：￥56.756596 +500：￥50.450907 +1000：￥43.198541	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 151 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263AA 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263 下载数据手册未分类	+1：￥96.434497 +10：￥81.070358 +50：￥66.36001 +100：￥59.822079 +250：￥58.024147	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 151 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263AA 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK 下载数据手册未分类	+300：￥49.375458 +500：￥48.282735 +1000：￥44.208441 +2000：￥42.257149 +2500：￥41.83567	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds 下载数据手册未分类	+50：￥34.656024 +100：￥33.974585 +150：￥33.293146	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 下载数据手册未分类	+50：￥30.400007	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+50：￥33.648546	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTA180N10T参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Trench
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.4 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	151 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6900 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	480W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263AA
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）