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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HS8K11TB_射频晶体管
HS8K11TB
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

射频晶体管

+1:

¥1.70126

+200:

¥1.417757

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¥1.134133

+1000:

¥0.945131

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A,11A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 17.9 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.1nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500pF 15V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: HSML3030L10

温度: 150°C(TJ)

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HS8K11TB_null
HS8K11TB
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

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¥12.579667

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¥7.271078

+1500:

¥4.609786

+3000:

¥3.332966

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A,11A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 17.9 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.1nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500pF 15V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: HSML3030L10

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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HS8K11TB_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

射频晶体管

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¥1.381186

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¥1.285936

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¥1.238311

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A,11A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 17.9 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.1nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500pF 15V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: HSML3030L10

温度: 150°C(TJ)

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MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

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¥3.378746

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¥3.145739

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¥3.029236

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A,11A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 17.9 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.1nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500pF 15V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: HSML3030L10

温度: 150°C(TJ)

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射频晶体管

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¥8.741347

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¥7.695252

+100:

¥5.895394

+500:

¥4.660428

+1000:

¥3.728401

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-UDFN Exposed Pad

供应商器件封装: HSML3030L10

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射频晶体管

+1:

¥8.741347

+10:

¥7.695252

+100:

¥5.895394

+500:

¥4.660428

+1000:

¥3.728401

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-UDFN Exposed Pad

供应商器件封装: HSML3030L10

Mouser
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MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

晶体管

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¥9.945061

+10:

¥8.754915

+100:

¥6.309409

+500:

¥5.135566

+1000:

¥4.255182

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A,11A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 17.9 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.1nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500pF 15V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: HSML3030L10

温度: 150°C(TJ)

HS8K11TB参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A,11A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 17.9 毫欧 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.1nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500pF 15V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: HSML3030L10
温度: 150°C(TJ)