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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGTP12N60A4D ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 600V 54A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥29.681224 +200：￥11.490184 +500：￥11.091073 +1000：￥10.891518	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 54 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 96 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，12A 功率 - 最大值： 167 W 开关能量： 55µJ（开），50µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 78 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 17ns/96ns 测试条件： 390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 30 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	HGTP12N60A4D ON Semiconductor 授权代理品牌	IGBT 600V 54A TO220-3 下载数据手册未分类	+239：￥11.702866 +1191：￥11.472494	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 54 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 96 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，12A 功率 - 最大值： 167 W 开关能量： 55µJ（开），50µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 78 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 17ns/96ns 测试条件： 390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 30 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	HGTP12N60A4D ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 600V 54A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 54 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 96 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，12A 功率 - 最大值： 167 W 开关能量： 55µJ（开），50µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 78 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 17ns/96ns 测试条件： 390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 30 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	HGTP12N60A4D ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 600V 54A TO220-3 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 54 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 96 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，12A 功率 - 最大值： 167 W 开关能量： 55µJ（开），50µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 78 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 17ns/96ns 测试条件： 390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 30 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGTP12N60A4D ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 600V 54A TO220-3 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 54 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 96 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，12A 功率 - 最大值： 167 W 开关能量： 55µJ（开），50µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 78 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 17ns/96ns 测试条件： 390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 30 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	HGTP12N60A4D ON Semiconductor 授权代理品牌	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO 下载数据手册未分类	+179：￥19.016179	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Input Type： Standard Reverse Recovery Time (trr)： 30 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package： TO-220-3 IGBT Type： - Td (on/off) @ 25°C： 17ns/96ns Switching Energy： 55µJ (on), 50µJ (off) Test Condition： 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge： 78 nC Part Status： Active Current - Collector (Ic) (Max)： 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 600 V Current - Collector Pulsed (Icm)： 96 A Power - Max： 167 W

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGTP12N60A4D ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 600V 54A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 800

HGTP12N60A4D参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
IGBT 类型:	-
电压 - 集射极击穿（最大值）:	600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	54 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	96 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.7V 15V，12A
功率 - 最大值:	167 W
开关能量:	55µJ（开），50µJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	78 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	17ns/96ns
测试条件:	390V，12A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	30 ns
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-220-3
供应商器件封装:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）