品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 40 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2V 15V，20A

功率 - 最大值： 165 W

开关能量： 475µJ（开），1.05mJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 80 nC

25°C 时 Td（开/关）值： -

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： 55 ns

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 40 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2V 15V，20A

功率 - 最大值： 165 W

开关能量： 475µJ（开），1.05mJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 80 nC

25°C 时 Td（开/关）值： -

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： 55 ns

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 40 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2V 15V，20A

功率 - 最大值： 165 W

开关能量： 475µJ（开），1.05mJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 80 nC

25°C 时 Td（开/关）值： -

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： 55 ns

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 40 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2V 15V，20A

功率 - 最大值： 165 W

开关能量： 475µJ（开），1.05mJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 80 nC

25°C 时 Td（开/关）值： -

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： 55 ns

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-247-3

系列： HGTG20N60B3D

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 600 V

集电极—射极饱和电压： 1.8 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

在25 C的连续集电极电流： 20 A

Pd-功率耗散： 165 W

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 40 A

集电极最大连续电流 Ic： 40 A

栅极—射极漏泄电流： +/- 100 nA

高度： 20.82 mm

长度： 15.87 mm

产品类型： IGBT Transistors

宽度： 4.82 mm

零件号别名： HGTG20N60B3D_NL

单位重量： 6.390 g

温度： - 40 C~+ 150 C