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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HGT1S7N60C3DS9A_未分类
HGT1S7N60C3DS9A
授权代理品牌

HGT1S7N60C3DS9A VBSEMI/微碧半导体

未分类

+2:

¥8.241827

+30:

¥7.967123

+100:

¥7.623655

+800:

¥7.417598

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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HGT1S7N60C3DS9A
授权代理品牌

HGT1S7N60C3DS9A VBSEMI/微碧半导体

未分类

+1:

¥7.691724

+10:

¥7.371293

+200:

¥7.050747

+800:

¥6.922598

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
HGT1S7N60C3DS9A_未分类
HGT1S7N60C3DS9A
授权代理品牌

HGT1S7N60C3DS9A ISC/无锡固电半导体

未分类

+10:

¥19.569651

+800:

¥13.046434

+2400:

¥12.819539

+4000:

¥12.479198

+8000:

¥12.138856

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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HGT1S7N60C3DS9A_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 14A 60W TO263AB

晶体管-IGBT

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 14 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 56 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V 15V,7A

功率 - 最大值: 60 W

开关能量: 165µJ(开),600µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 23 nC

25°C 时 Td(开/关)值: -

测试条件: 480V,7A,50欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 37 ns

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

温度: -

Digi-Key
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HGT1S7N60C3DS9A_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 14A 60W TO263AB

晶体管-IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 14 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 56 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V 15V,7A

功率 - 最大值: 60 W

开关能量: 165µJ(开),600µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 23 nC

25°C 时 Td(开/关)值: -

测试条件: 480V,7A,50欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 37 ns

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

温度: -

HGT1S7N60C3DS9A_未分类
HGT1S7N60C3DS9A
授权代理品牌

14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/

未分类

+133:

¥28.234901

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -

Input Type: Standard

Reverse Recovery Time (trr): 37 ns

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A

Supplier Device Package: TO-263AB

IGBT Type: -

Td (on/off) @ 25°C: -

Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)

Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V

Gate Charge: 23 nC

Part Status: Active

Current - Collector (Ic) (Max): 14 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V

Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A

Power - Max: 60 W

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HGT1S7N60C3DS9A_晶体管-IGBT
HGT1S7N60C3DS9A
授权代理品牌

IGBT 600V 14A 60W TO263AB

晶体管-IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 14 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 56 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V 15V,7A

功率 - 最大值: 60 W

开关能量: 165µJ(开),600µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 23 nC

25°C 时 Td(开/关)值: -

测试条件: 480V,7A,50欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 37 ns

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

温度: -

HGT1S7N60C3DS9A参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 14 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 56 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V 15V,7A
功率 - 最大值: 60 W
开关能量: 165µJ(开),600µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 23 nC
25°C 时 Td(开/关)值: -
测试条件: 480V,7A,50欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 37 ns
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
温度: -