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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGT1S2N120CN ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 13A 104W I2PAK 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥37.994118 +200：￥14.708105 +500：￥14.183596 +1000：￥13.932269	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 13 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 20 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，2.6A 功率 - 最大值： 104 W 开关能量： 96µJ（开），355µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 30 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 25ns/205ns 测试条件： 960V，2.6A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 供应商器件封装： TO-262 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGT1S2N120CN ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 13A 104W I2PAK 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 13 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 20 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，2.6A 功率 - 最大值： 104 W 开关能量： 96µJ（开），355µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 30 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 25ns/205ns 测试条件： 960V，2.6A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 供应商器件封装： TO-262 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGT1S2N120CN Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	N-CHANNEL IGBT 下载数据手册晶体管-IGBT	+148：￥25.058172	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Obsolete IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 13 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 20 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V, 2.6A 功率 - 最大值： 104 W 开关能量： 96µJ (on), 355µJ (off) 输入类型： Standard 栅极电荷： 30 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 25ns/205ns 测试条件： 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 供应商器件封装： TO-262 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	HGT1S2N120CN ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 13A 104W I2PAK 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 13 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 20 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，2.6A 功率 - 最大值： 104 W 开关能量： 96µJ（开），355µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 30 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 25ns/205ns 测试条件： 960V，2.6A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 供应商器件封装： TO-262 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGT1S2N120CN ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 13A 104W I2PAK 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 13 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 20 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，2.6A 功率 - 最大值： 104 W 开关能量： 96µJ（开），355µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 30 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 25ns/205ns 测试条件： 960V，2.6A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 供应商器件封装： TO-262 温度： -55°C # 150°C（TJ）

HGT1S2N120CN参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
IGBT 类型:	NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）:	1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	13 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	20 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.4V 15V，2.6A
功率 - 最大值:	104 W
开关能量:	96µJ（开），355µJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	30 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	25ns/205ns
测试条件:	960V，2.6A，51 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	-
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装:	TO-262
温度:	-55°C # 150°C（TJ）