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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HGTD3N60C3S9A_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 6A 33W TO252AA

晶体管-IGBT

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 24 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V 15V,3A

功率 - 最大值: 33 W

开关能量: 85µJ(开),245µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 10.8 nC

25°C 时 Td(开/关)值: -

测试条件: 480V,3A,82 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: TO-252AA

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HGTD3N60C3S9A_晶体管-IGBT
+625:

¥4.94241

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Fairchild Semiconductor

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 24 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V 15V, 3A

功率 - 最大值: 33 W

开关能量: 85µJ (on), 245µJ (off)

输入类型: Standard

栅极电荷: 10.8 nC

25°C 时 Td(开/关)值: -

测试条件: 480V, 3A, 82Ohm, 15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: TO-252, (D-Pak)

温度: -40°C # 150°C (TJ)

HGTD3N60C3S9A_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 6A 33W TO252AA

晶体管-IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 24 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V 15V,3A

功率 - 最大值: 33 W

开关能量: 85µJ(开),245µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 10.8 nC

25°C 时 Td(开/关)值: -

测试条件: 480V,3A,82 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: TO-252AA

温度: -40°C # 150°C(TJ)

HGTD3N60C3S9A参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 24 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V 15V,3A
功率 - 最大值: 33 W
开关能量: 85µJ(开),245µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 10.8 nC
25°C 时 Td(开/关)值: -
测试条件: 480V,3A,82 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): -
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: TO-252AA
温度: -40°C # 150°C(TJ)