品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-247-3

系列： HGTG10N120BND

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 1200 V

集电极—射极饱和电压： 2.45 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

在25 C的连续集电极电流： 17 A

Pd-功率耗散： 298 W

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 35 A

集电极最大连续电流 Ic： 35 A

栅极—射极漏泄电流： +/- 250 nA

高度： 20.82 mm

长度： 15.87 mm

产品类型： IGBT Transistors

宽度： 4.82 mm

零件号别名： HGTG10N120BND_NL

单位重量： 6.390 g

温度： - 55 C~+ 150 C