HGT1S20N36G3VL厂家价格_数据手册

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
HGT1S20N36G3VL ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 395 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 37.7 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 5V，20A 功率 - 最大值： 150 W 开关能量： - 输入类型：逻辑栅极电荷： 28.7 nC 25°C 时 Td（开/关）值： -/15µs 测试条件： 300V，10A，25欧姆，5V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 供应商器件封装： I2PAK（TO-262）温度： -40°C # 175°C（TJ）
HGT1S20N36G3VL ON Semiconductor 授权代理品牌	IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA 下载数据手册晶体管-IGBT	+100：￥15.836851 +300：￥15.764207 +500：￥15.691564 +1000：￥15.61892 +5000：￥15.400991	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 395 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 37.7 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 5V，20A 功率 - 最大值： 150 W 开关能量： - 输入类型：逻辑栅极电荷： 28.7 nC 25°C 时 Td（开/关）值： -/15µs 测试条件： 300V，10A，25欧姆，5V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 供应商器件封装： I2PAK（TO-262）温度： -40°C # 175°C（TJ）
HGT1S20N36G3VL ON Semiconductor 授权代理品牌	IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥11.650801	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 395 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 37.7 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 5V，20A 功率 - 最大值： 150 W 开关能量： - 输入类型：逻辑栅极电荷： 28.7 nC 25°C 时 Td（开/关）值： -/15µs 测试条件： 300V，10A，25欧姆，5V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 供应商器件封装： I2PAK（TO-262）温度： -40°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGT1S20N36G3VL ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA 下载数据手册晶体管-IGBT	+161：￥10.129556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 395 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 37.7 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 5V，20A 功率 - 最大值： 150 W 开关能量： - 输入类型：逻辑栅极电荷： 28.7 nC 25°C 时 Td（开/关）值： -/15µs 测试条件： 300V，10A，25欧姆，5V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 供应商器件封装： I2PAK（TO-262）温度： -40°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGT1S20N36G3VL Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	N-CHANNEL IGBT 下载数据手册晶体管-IGBT	+161：￥24.779579	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Obsolete IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 395 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 37.7 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 5V, 20A 功率 - 最大值： 150 W 开关能量： - 输入类型： Logic 栅极电荷： 28.7 nC 25°C 时 Td（开/关）值： -/15µs 测试条件： 300V, 10A, 25Ohm, 5V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -40°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 供应商器件封装： I2PAK (TO-262) 温度： -40°C # 175°C (TJ)
	HGT1S20N36G3VL ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 395 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 37.7 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 5V，20A 功率 - 最大值： 150 W 开关能量： - 输入类型：逻辑栅极电荷： 28.7 nC 25°C 时 Td（开/关）值： -/15µs 测试条件： 300V，10A，25欧姆，5V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 供应商器件封装： I2PAK（TO-262）温度： -40°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGT1S20N36G3VL ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 395 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 37.7 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 5V，20A 功率 - 最大值： 150 W 开关能量： - 输入类型：逻辑栅极电荷： 28.7 nC 25°C 时 Td（开/关）值： -/15µs 测试条件： 300V，10A，25欧姆，5V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 供应商器件封装： I2PAK（TO-262）温度： -40°C # 175°C（TJ）

HGT1S20N36G3VL参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
IGBT 类型:	-
电压 - 集射极击穿（最大值）:	395 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	37.7 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	-
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	1.9V 5V，20A
功率 - 最大值:	150 W
开关能量:	-
输入类型:	逻辑
栅极电荷:	28.7 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	-/15µs
测试条件:	300V，10A，25欧姆，5V
反向恢复时间 (trr):	-
工作温度:	-40°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装:	I2PAK（TO-262）
温度:	-40°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
HGT1S20N36G3VL ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 395 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 37.7 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 5V，20A 功率 - 最大值： 150 W 开关能量： - 输入类型：逻辑栅极电荷： 28.7 nC 25°C 时 Td（开/关）值： -/15µs 测试条件： 300V，10A，25欧姆，5V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 供应商器件封装： I2PAK（TO-262）温度： -40°C # 175°C（TJ）
HGT1S20N36G3VL ON Semiconductor 授权代理品牌	IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA 下载数据手册晶体管-IGBT	+100：￥15.836851 +300：￥15.764207 +500：￥15.691564 +1000：￥15.61892 +5000：￥15.400991	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 395 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 37.7 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 5V，20A 功率 - 最大值： 150 W 开关能量： - 输入类型：逻辑栅极电荷： 28.7 nC 25°C 时 Td（开/关）值： -/15µs 测试条件： 300V，10A，25欧姆，5V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 供应商器件封装： I2PAK（TO-262）温度： -40°C # 175°C（TJ）
HGT1S20N36G3VL ON Semiconductor 授权代理品牌	IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥11.650801	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 395 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 37.7 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 5V，20A 功率 - 最大值： 150 W 开关能量： - 输入类型：逻辑栅极电荷： 28.7 nC 25°C 时 Td（开/关）值： -/15µs 测试条件： 300V，10A，25欧姆，5V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 供应商器件封装： I2PAK（TO-262）温度： -40°C # 175°C（TJ）