品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 35 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，10A

功率 - 最大值： 298 W

开关能量： 320µJ（开），800µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 100 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/165ns

测试条件： 960V，10A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 35 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，10A

功率 - 最大值： 298 W

开关能量： 320µJ（开），800µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 100 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/165ns

测试条件： 960V，10A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： HGTP10N120BN

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 1200 V

集电极—射极饱和电压： 2.45 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

在25 C的连续集电极电流： 35 A

Pd-功率耗散： 298 W

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 35 A

集电极最大连续电流 Ic： 35 A

栅极—射极漏泄电流： +/- 250 nA

高度： 9.4 mm

长度： 10.67 mm

产品类型： IGBT Transistors

宽度： 4.83 mm

零件号别名： HGTP10N120BN_NL

单位重量： 1.800 g

温度： - 55 C~+ 150 C