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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HGTP3N60A4D_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 17A 70W TO220AB

晶体管-IGBT

+800:

¥10.169639

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 17 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 40 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.7V 15V,3A

功率 - 最大值: 70 W

开关能量: 37µJ(开),25µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 21 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 6ns/73ns

测试条件: 390V,3A,50 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 29 ns

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HGTP3N60A4D_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 17A 70W TO220AB

晶体管-IGBT

+800:

¥17.573102

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 17 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 40 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.7V 15V,3A

功率 - 最大值: 70 W

开关能量: 37µJ(开),25µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 21 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 6ns/73ns

测试条件: 390V,3A,50 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 29 ns

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

HGTP3N60A4D_晶体管-IGBT
+245:

¥15.197903

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

HGTP3N60A4D参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 不适用于新设计
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 17 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 40 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.7V 15V,3A
功率 - 最大值: 70 W
开关能量: 37µJ(开),25µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 21 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 6ns/73ns
测试条件: 390V,3A,50 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 29 ns
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)