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搜索 HGTP5N120BND 共 7 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGTP5N120BND ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 21A 167W TO220AB 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥82.771056 +10：￥68.976 +50：￥55.1808 +100：￥45.983952	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 21 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 40 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，5A 功率 - 最大值： 167 W 开关能量： 450µJ（开），390µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 53 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 22ns/160ns 测试条件： 960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 65 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGTP5N120BND ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 21A 167W TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥37.720936 +10：￥32.978501 +50：￥28.596666 +100：￥26.170812	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 21 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 40 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，5A 功率 - 最大值： 167 W 开关能量： 450µJ（开），390µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 53 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 22ns/160ns 测试条件： 960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 65 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGTP5N120BND ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 21A 167W TO220AB 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥12.269521	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 21 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 40 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，5A 功率 - 最大值： 167 W 开关能量： 450µJ（开），390µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 53 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 22ns/160ns 测试条件： 960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 65 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGTP5N120BND ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 21A 167W TO220AB 下载数据手册晶体管-IGBT	+800：￥11.745392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 21 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 40 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，5A 功率 - 最大值： 167 W 开关能量： 450µJ（开），390µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 53 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 22ns/160ns 测试条件： 960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 65 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGTP5N120BND ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 21A 167W TO220AB 下载数据手册晶体管-IGBT	+800：￥20.295998	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 21 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 40 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，5A 功率 - 最大值： 167 W 开关能量： 450µJ（开），390µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 53 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 22ns/160ns 测试条件： 960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 65 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGTP5N120BND ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 21A 167W TO220AB 下载数据手册未分类	+800：￥18.503443	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 800

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HGTP5N120BND 授权代理品牌	Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+800：￥22.843792	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

HGTP5N120BND参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	不适用于新设计
IGBT 类型:	NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）:	1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	21 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	40 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.7V 15V，5A
功率 - 最大值:	167 W
开关能量:	450µJ（开），390µJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	53 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	22ns/160ns
测试条件:	960V，5A，25 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	65 ns
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-220-3
供应商器件封装:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）