直流反向耐压(Vr)： 800V

平均整流电流(Io)： 4A

正向压降(Vf)： 1V@2A

反向电流(Ir)： 5uA@800V

正向浪涌电流(Ifsm)： 150A

工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

直流反向耐压(Vr)： 800V

平均整流电流(Io)： 4A

正向压降(Vf)： 1.05V@2A

反向电流(Ir)： 5uA@800V

正向浪涌电流(Ifsm)： 150A

工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

Packaging： Box

Package / Case： 4-SIP, GBU

Mounting Type： Through Hole

Diode Type： Single Phase

Operating Temperature： -50°C # 150°C (TJ)

Technology： Standard

Supplier Device Package： GBU

Part Status： Active

Voltage - Peak Reverse (Max)： 800 V

Current - Average Rectified (Io)： 2.8 A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1 V @ 4 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 800 V

品牌： GeneSiC Semiconductor

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 800 V

电流 - 平均整流 (Io)： 4 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 800 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）