锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 GT30J121(Q)3 条相关记录
Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
GT30J121(Q)_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 30A 170W TO3PN

晶体管-IGBT

+50:

¥38.889907

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.45V 15V,30A

功率 - 最大值: 170 W

开关能量: 1mJ(开),800µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: -

25°C 时 Td(开/关)值: 90ns/300ns

测试条件: 300V,30A,24 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3

供应商器件封装: TO-3P(N)

温度: -

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
GT30J121(Q)_晶体管
GT30J121(Q)
授权代理品牌

IGBT 600V 30A 170W TO3PN

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.45V 15V,30A

功率 - 最大值: 170 W

开关能量: 1mJ(开),800µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: -

25°C 时 Td(开/关)值: 90ns/300ns

测试条件: 300V,30A,24 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3

供应商器件封装: TO-3P(N)

温度: -

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
GT30J121(Q)_未分类
GT30J121(Q)
授权代理品牌

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Sack

未分类

+50:

¥39.164363

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

GT30J121(Q)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.45V 15V,30A
功率 - 最大值: 170 W
开关能量: 1mJ(开),800µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: -
25°C 时 Td(开/关)值: 90ns/300ns
测试条件: 300V,30A,24 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): -
工作温度: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装: TO-3P(N)
温度: -