搜索 FDN308P 共 18 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FDN308P 授权代理品牌 | +30: ¥0.452284 +200: ¥0.376923 +3000: ¥0.342657 +6000: ¥0.311517 | 暂无参数 | |||
FDN308P | +3000: ¥0.236156 +6000: ¥0.216707 +9000: ¥0.197954 | 暂无参数 | |||
FDN308P 授权代理品牌 | +3000: ¥0.34613 +6000: ¥0.327955 +15000: ¥0.311517 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FDN308P 授权代理品牌 | FDN308P 友台半导体 | +3000: ¥0.490752 | 封装/外壳: SOT-23 | ||
![]() | FDN308P 授权代理品牌 | 1+: |
自营 国内现货
Digi-Key
FDN308P参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | PowerTrench® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 125 毫欧 1.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 5.4 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 341 pF 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 500mW(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23-3 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |