FDN352AP厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN352AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 FDN352AP 52AP SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.176272 +100：￥1.55376 +200：￥1.177056 +500：￥1.009008 +800：￥0.9072	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	FDN352AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.499078 +10：￥6.417278 +30：￥5.829115 +100：￥5.156929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN352AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.375528 +100：￥1.273646	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN352AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.058252 +6000：￥1.004473 +9000：￥0.93272 +30000：￥0.911165 +75000：￥0.887964	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDN352AP ON Semiconductor 授权代理品牌	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.85047	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDN352AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.828656 +6000：￥1.735726 +9000：￥1.611737 +30000：￥1.57449 +75000：￥1.534398	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN352AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.444634 +10：￥4.640314 +100：￥3.223472 +500：￥2.516658 +1000：￥2.045698	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SuperSOT-3
FDN352AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.444634 +10：￥4.640314 +100：￥3.223472 +500：￥2.516658 +1000：￥2.045698	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SuperSOT-3
FDN352AP ON Semiconductor 授权代理品牌	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 下载数据手册未分类	+1：￥11.83759	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 180mOhm @ 1.3A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±25V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 150 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN352AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 下载数据手册未分类	+1：￥6.394573 +10：￥5.578244 +100：￥4.163275 +500：￥3.278919 +1000：￥2.530618	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

FDN352AP参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	180 毫欧 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.9 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	150 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）