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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN352AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 FDN352AP 52AP SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.695694 +200：￥1.146717 +800：￥0.841797 +3000：￥0.609961 +6000：￥0.579469	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDN352AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.216751 +50：￥1.010444 +150：￥0.922043 +500：￥0.811787 +3000：￥0.713551	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN352AP TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+5：￥0.492602 +50：￥0.396551 +150：￥0.348471 +500：￥0.31241 +3000：￥0.269139	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDN352AP UMW(友台半导体) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+10：￥0.246519 +100：￥0.205651 +300：￥0.185218 +3000：￥0.149048 +6000：￥0.13681	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN352AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.168739	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN352AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.86312 +6000：￥0.819258 +9000：￥0.760736 +30000：￥0.743155 +75000：￥0.724232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDN352AP ON Semiconductor 授权代理品牌	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.86312 +6000：￥0.819258 +9000：￥0.760736 +30000：￥0.743155 +75000：￥0.724232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDN352AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.523051 +6000：￥2.309024 +9000：￥2.199943 +15000：￥2.077249 +21000：￥2.004734	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN352AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.86203 +10：￥6.716101 +100：￥4.317275 +500：￥3.281863 +1000：￥2.947894	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SuperSOT-3
FDN352AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.86203 +10：￥6.716101 +100：￥4.317275 +500：￥3.281863 +1000：￥2.947894	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SuperSOT-3

FDN352AP参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	180 毫欧 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.9 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	150 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）