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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6930B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥6.851746 +200：￥4.633574 +800：￥3.401189 +2500：￥2.464649 +5000：￥2.341471	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 412pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6930B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 412pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6930B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.46858 +5000：￥1.367283 +12500：￥1.316691 +25000：￥1.270823	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 412pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6930B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥3.592534 +5000：￥3.344735 +12500：￥3.220975 +25000：￥3.108768	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 412pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS6930B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.32728 +10：￥8.171811 +100：￥6.268768 +500：￥4.955153 +1000：￥3.964234	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS6930B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.32728 +10：￥8.171811 +100：￥6.268768 +500：￥4.955153 +1000：￥3.964234	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS6930B ON Semiconductor 授权代理品牌	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Part Status： Active

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6930B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管	+1：￥11.359362 +10：￥9.680153 +100：￥7.474132 +500：￥6.091252 +1000：￥4.873002	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： SOIC-8 系列： FDS6930B 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 2 Channel Vds-漏源极击穿电压： 30 V Id-连续漏极电流： 5.5 A Rds On-漏源导通电阻： 38 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V Qg-栅极电荷： 3.8 nC Pd-功率耗散： 2 W 通道模式： Enhancement 商标名： PowerTrench 商标： onsemi / Fairchild 配置： Dual 下降时间： 2 ns 正向跨导 - 最小值： 19 S 高度： 1.75 mm 长度： 4.9 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 6 ns 晶体管类型： 2 N-Channel 类型： MOSFET 典型关闭延迟时间： 16 ns 典型接通延迟时间： 6 ns 宽度： 3.9 mm 零件号别名： FDS6930B_NL 单位重量： 187 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

FDS6930B参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	38 毫欧 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.8nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	412pF 15V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）