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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN86501LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3 下载数据手册未分类	+1：￥21.572977 +10：￥19.115296 +30：￥17.655392 +100：￥16.174481	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 116 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 335 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDN86501LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3 下载数据手册未分类	+1422：￥6.29246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 116 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 335 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDN86501LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3 下载数据手册未分类	+10：￥17.934102 +100：￥14.411032 +500：￥11.845537 +1000：￥9.820224	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN86501LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.494108 +6000：￥6.250004 +9000：￥6.043061	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 116 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 335 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDN86501LZ ON(安森美) 授权代理品牌	N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.566606	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 116 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 335 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDN86501LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥11.221796 +6000：￥10.799987 +9000：￥10.442389	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 116 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 335 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN86501LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.937048 +10：￥20.672813 +100：￥16.453465 +500：￥13.921856 +1000：￥11.81243	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SuperSOT-3
FDN86501LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.937048 +10：￥20.672813 +100：￥16.453465 +500：￥13.921856 +1000：￥11.81243	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SuperSOT-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN86501LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3 下载数据手册未分类	+1：￥29.890634 +10：￥26.997992 +25：￥25.482798 +100：￥21.625942 +500：￥17.769086	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN86501LZ 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥10.531143	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDN86501LZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	116 毫欧 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	335 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）