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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FGAF20N60SMD_未分类
FGAF20N60SMD
ON(安森美)
授权代理品牌

IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF

未分类
+1：

￥17.068396

+10：

￥14.762742

+30：

￥13.320342

+90：

￥11.845161

+510：

￥10.304416

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： -

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-3P-3 Full Pack

供应商器件封装： TO-3PF

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FGAF20N60SMD_晶体管-IGBT
FGAF20N60SMD
ON(安森美)
授权代理品牌

IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF

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晶体管-IGBT
+30：

￥18.05895

+90：

￥17.607476

+270：

￥17.306494

+540：

￥17.156003

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： -

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-3P-3 Full Pack

供应商器件封装： TO-3PF

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FGAF20N60SMD_晶体管-IGBT
FGAF20N60SMD
ON(安森美)
授权代理品牌

IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF

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晶体管-IGBT
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-3P-3 Full Pack

供应商器件封装： TO-3PF

FGAF20N60SMD_未分类
FGAF20N60SMD
ON Semiconductor
授权代理品牌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

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未分类
+139：

￥30.86119

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FGAF20N60SMD_晶体管
FGAF20N60SMD
ON(安森美)
授权代理品牌

IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF

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晶体管
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-3PF

系列： FGAF20N60SMD

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

集电极—发射极最大电压 VCEO： 600 V

集电极—射极饱和电压： 1.9 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

在25 C的连续集电极电流： 40 A

Pd-功率耗散： 62.5 W

商标： onsemi / Fairchild

栅极—射极漏泄电流： 400 nA

产品类型： IGBT Transistors

单位重量： 7 g

温度： - 55 C~+ 175 C

FGAF20N60SMD参数规格

属性 参数值
系列: -
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-3P-3 Full Pack
供应商器件封装: TO-3PF