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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86182 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥22.003344 +100：￥17.923536 +200：￥14.37552 +500：￥12.835296 +800：￥11.91384	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 78A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 6 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2635 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86182 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥5.398496 +10：￥4.526754 +30：￥4.096135 +100：￥3.655013 +500：￥3.402943	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 78A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 6 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2635 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDMS86182 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥7.878575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 78A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 6 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2635 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMS86182 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN 下载数据手册未分类	+25：￥18.059455 +100：￥15.380339 +500：￥12.601902 +1000：￥10.518157 +3000：￥9.516002	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86182 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.484724	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 78A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 6 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2635 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS86182 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥11.205581	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 78A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 6 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2635 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS86182 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.503809 +10：￥21.994241 +100：￥17.679439 +500：￥14.52567 +1000：￥12.035633	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS86182 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.503809 +10：￥21.994241 +100：￥17.679439 +500：￥14.52567 +1000：￥12.035633	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86182 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥29.115713 +10：￥26.258564 +25：￥24.761962 +100：￥21.088483 +500：￥17.278951	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86182 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥10.129215	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMS86182参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	78A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.2 毫欧 28A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24 nC 6 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2635 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	83W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）