品牌： onsemi

包装： 管件,散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，40A

功率 - 最大值： 555 W

开关能量： 2.7mJ（开），1.1mJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 370 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 40ns/475ns

测试条件： 600V，40A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 65 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

IGBT 类型： Trench Field Stop

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V, 40A

功率 - 最大值： 555 W

开关能量： 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)

输入类型： Standard

栅极电荷： 370 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 40ns/475ns

测试条件： 600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢复时间 (trr)： 65 ns

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-247-3L

系列： FGH40T120SMD

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 1200 V

集电极—射极饱和电压： 1.8 V

栅极/发射极最大电压： 25 V

在25 C的连续集电极电流： 80 A

Pd-功率耗散： 555 W

商标： onsemi / Fairchild

栅极—射极漏泄电流： +/- 400 nA

工作温度范围： - 55 C to + 175 C

产品类型： IGBT Transistors

单位重量： 6.390 g

温度： - 55 C~+ 175 C