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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGH60N60SMD-F085_晶体管-IGBT
FGH60N60SMD-F085
授权代理品牌

IGBT 600V 120A 600W TO247

晶体管-IGBT

+1:

¥153.128041

+10:

¥102.08528

+30:

¥85.071107

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

IGBT 类型: 场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 120 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 180 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,60A

功率 - 最大值: 600 W

开关能量: 1.59mJ(开),390µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 280 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 22ns/116ns

测试条件: 400V,60A,3 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 42 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 现货库存
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FGH60N60SMD-F085_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 120A 600W TO247

晶体管-IGBT

+1:

¥70.907055

+10:

¥62.656966

+30:

¥57.619495

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

IGBT 类型: 场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 120 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 180 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,60A

功率 - 最大值: 600 W

开关能量: 1.59mJ(开),390µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 280 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 22ns/116ns

测试条件: 400V,60A,3 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 42 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGH60N60SMD-F085_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 120A 600W TO247

晶体管-IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

IGBT 类型: 场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 120 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 180 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,60A

功率 - 最大值: 600 W

开关能量: 1.59mJ(开),390µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 280 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 22ns/116ns

测试条件: 400V,60A,3 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 42 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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FGH60N60SMD-F085_晶体管
FGH60N60SMD-F085
授权代理品牌

IGBT 600V 120A 600W TO247

晶体管

+1:

¥110.611908

+10:

¥100.68937

+100:

¥86.212221

+250:

¥82.958931

+450:

¥79.054982

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: TO-247-3

系列: FGH60N60SM_F085

产品种类: IGBT 晶体管

技术: Si

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 2.14 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 120 A

Pd-功率耗散: 600 W

资格: AEC-Q101

商标: onsemi / Fairchild

集电极最大连续电流 Ic: 60 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

产品类型: IGBT Transistors

零件号别名: FGH60N60SMD_F085

单位重量: 6.390 g

温度: - 55 C~+ 175 C

艾睿
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FGH60N60SMD-F085_未分类
FGH60N60SMD-F085
授权代理品牌

Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

未分类

+1:

¥68.448567

+10:

¥65.306104

+100:

¥59.463978

+250:

¥58.478388

+450:

¥57.278537

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
FGH60N60SMD-F085_未分类
FGH60N60SMD-F085
授权代理品牌

Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

未分类

+1:

¥63.158806

+10:

¥60.030391

+100:

¥53.157929

+250:

¥52.630244

+450:

¥52.102559

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FGH60N60SMD-F085参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 停产
IGBT 类型: 场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 180 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,60A
功率 - 最大值: 600 W
开关能量: 1.59mJ(开),390µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 280 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 22ns/116ns
测试条件: 400V,60A,3 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 42 ns
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)