品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 120 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 180 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，60A

功率 - 最大值： 298 W

开关能量： 1.81mJ（开），810µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 188 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/130ns

测试条件： 400V，60A，5 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 47 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 120 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 180 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，60A

功率 - 最大值： 298 W

开关能量： 1.81mJ（开），810µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 188 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/130ns

测试条件： 400V，60A，5 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 47 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 120 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 180 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，60A

功率 - 最大值： 298 W

开关能量： 1.81mJ（开），810µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 188 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/130ns

测试条件： 400V，60A，5 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 47 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： FGA60N60UFD

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 600 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

在25 C的连续集电极电流： 120 A

商标： onsemi / Fairchild

产品类型： IGBT Transistors

单位重量： 6.401 g

温度： - 55 C~+ 150 C