品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V, 50A

功率 - 最大值： 268 W

开关能量： 410µJ (on), 88µJ (off)

输入类型： Standard

栅极电荷： 99 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 19ns/93ns

测试条件： 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V, 50A

功率 - 最大值： 268 W

开关能量： 410µJ (on), 88µJ (off)

输入类型： Standard

栅极电荷： 99 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 19ns/93ns

测试条件： 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V, 50A

功率 - 最大值： 268 W

开关能量： 410µJ (on), 88µJ (off)

输入类型： Standard

栅极电荷： 99 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 19ns/93ns

测试条件： 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-247-3

系列：

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 650 V

集电极—射极饱和电压： 1.6 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

在25 C的连续集电极电流： 100 A

Pd-功率耗散： 268 W

商标： onsemi

集电极最大连续电流 Ic： 100 A

栅极—射极漏泄电流： 400 nA

产品类型： IGBT Transistors

单位重量： 116.667 mg

温度： - 55 C~+ 175 C