品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 40 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 3V 15V，20A

功率 - 最大值： 100 W

开关能量： 470µJ（开），130µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 77 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 15ns/65ns

测试条件： 300V，20A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 95 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3 整包

供应商器件封装： TO-3PF

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 40 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 3V 15V，20A

功率 - 最大值： 100 W

开关能量： 470µJ（开），130µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 77 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 15ns/65ns

测试条件： 300V，20A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 95 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3 整包

供应商器件封装： TO-3PF

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 40 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 3V 15V，20A

功率 - 最大值： 100 W

开关能量： 470µJ（开），130µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 77 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 15ns/65ns

测试条件： 300V，20A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 95 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3 整包

供应商器件封装： TO-3PF

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 40 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 3V 15V，20A

功率 - 最大值： 100 W

开关能量： 470µJ（开），130µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 77 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 15ns/65ns

测试条件： 300V，20A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 95 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3 整包

供应商器件封装： TO-3PF

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tube

Package / Case： TO-3P-3 Full Pack

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Input Type： Standard

Reverse Recovery Time (trr)： 95 ns

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 3V @ 15V, 20A

Supplier Device Package： TO-3PF

IGBT Type： -

Td (on/off) @ 25°C： 15ns/65ns

Switching Energy： 470µJ (on), 130µJ (off)

Test Condition： 300V, 20A, 10Ohm, 15V

Gate Charge： 77 nC

Current - Collector (Ic) (Max)： 40 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 600 V

Current - Collector Pulsed (Icm)： 160 A

Power - Max： 100 W

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-3P-3 Full Pack

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Input Type： Standard

Reverse Recovery Time (trr)： 95 ns

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 3V @ 15V, 20A

Supplier Device Package： TO-3PF

IGBT Type： -

Td (on/off) @ 25°C： 15ns/65ns

Switching Energy： 470µJ (on), 130µJ (off)

Test Condition： 300V, 20A, 10Ohm, 15V

Gate Charge： 77 nC

Current - Collector (Ic) (Max)： 40 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 600 V

Current - Collector Pulsed (Icm)： 160 A

Power - Max： 100 W

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-3PF-3

系列： FGAF40N60UFD

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 600 V

集电极—射极饱和电压： 3.1 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

在25 C的连续集电极电流： 40 A

Pd-功率耗散： 100 W

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 40 A

集电极最大连续电流 Ic： 40 A

栅极—射极漏泄电流： +/- 100 nA

高度： 16.7 mm

长度： 15.7 mm

产品类型： IGBT Transistors

宽度： 5.7 mm

零件号别名： FGAF40N60UFDTU_NL

单位重量： 7 g

温度： - 55 C~+ 150 C