品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 60 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 90 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.4V 15V，30A

功率 - 最大值： 480 W

开关能量： 1.1mJ（开），21mJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 225 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 18ns/250ns

测试条件： 400V，30A，6.8 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 35 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3P

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 60 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 90 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.4V 15V，30A

功率 - 最大值： 480 W

开关能量： 1.1mJ（开），21mJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 225 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 18ns/250ns

测试条件： 400V，30A，6.8 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 35 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3P

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 60 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 90 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.4V 15V，30A

功率 - 最大值： 480 W

开关能量： 1.1mJ（开），21mJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 225 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 18ns/250ns

测试条件： 400V，30A，6.8 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 35 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3P

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-3PN-3

系列： FGA30N60LSD

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 600 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

商标： onsemi / Fairchild

集电极最大连续电流 Ic： 60 A

高度： 18.9 mm

长度： 15.8 mm

产品类型： IGBT Transistors

宽度： 5 mm

单位重量： 6.401 g

温度： - 55 C~+ 150 C