品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.3V 15V，50A

功率 - 最大值： 340 W

开关能量： 2.7mJ（开），740µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 230 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 32ns/160ns

测试条件： 400V，50A，6 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 53 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.3V 15V，50A

功率 - 最大值： 340 W

开关能量： 2.7mJ（开），740µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 230 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 32ns/160ns

测试条件： 400V，50A，6 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 53 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.3V 15V，50A

功率 - 最大值： 340 W

开关能量： 2.7mJ（开），740µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 230 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 32ns/160ns

测试条件： 400V，50A，6 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 53 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-247

系列： FGH50T65UPD

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

集电极—发射极最大电压 VCEO： 650 V

集电极—射极饱和电压： 2.1 V

栅极/发射极最大电压： 25 V

在25 C的连续集电极电流： 100 A

Pd-功率耗散： 240 W

商标： onsemi / Fairchild

栅极—射极漏泄电流： 400 nA

产品类型： IGBT Transistors

单位重量： 6.390 g

温度： - 55 C~+ 175 C