品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.9V 15V，40A

功率 - 最大值： 290 W

开关能量： 1.13mJ（开），310µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 120 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 25ns/115ns

测试条件： 400V，40A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.9V 15V，40A

功率 - 最大值： 290 W

开关能量： 1.13mJ（开），310µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 120 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 25ns/115ns

测试条件： 400V，40A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.9V 15V，40A

功率 - 最大值： 290 W

开关能量： 1.13mJ（开），310µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 120 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 25ns/115ns

测试条件： 400V，40A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.9V 15V，40A

功率 - 最大值： 290 W

开关能量： 1.13mJ（开），310µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 120 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 25ns/115ns

测试条件： 400V，40A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tube

Package / Case： TO-247-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Input Type： Standard

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.9V @ 15V, 40A

Supplier Device Package： TO-247-3

IGBT Type： Field Stop

Td (on/off) @ 25°C： 25ns/115ns

Switching Energy： 1.13mJ (on), 310µJ (off)

Test Condition： 400V, 40A, 10Ohm, 15V

Gate Charge： 120 nC

Current - Collector (Ic) (Max)： 80 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 600 V

Current - Collector Pulsed (Icm)： 120 A

Power - Max： 290 W

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-247

系列： FGH40N60SF

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 600 V

集电极—射极饱和电压： 2.3 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

在25 C的连续集电极电流： 80 A

Pd-功率耗散： 290 W

商标： onsemi / Fairchild

栅极—射极漏泄电流： 400 nA

产品类型： IGBT Transistors

单位重量： 6.390 g

温度： - 55 C~+ 150 C