品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 60 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，15A

功率 - 最大值： 333 W

开关能量： 1.15mJ（开），460µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 128 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 32ns/490ns

测试条件： 600V，15A，34 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 72 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 60 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，15A

功率 - 最大值： 333 W

开关能量： 1.15mJ（开），460µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 128 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 32ns/490ns

测试条件： 600V，15A，34 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 72 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-247G03-3

系列： FGH15T120SMD

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 1200 V

集电极—射极饱和电压： 1.9 V

栅极/发射极最大电压： 25 V

在25 C的连续集电极电流： 30 A

Pd-功率耗散： 333 W

商标： onsemi / Fairchild

集电极最大连续电流 Ic： 15 A

栅极—射极漏泄电流： 400 nA

产品类型： IGBT Transistors

零件号别名： FGH15T120SMD_F155

单位重量： 6.390 g

温度： - 55 C~+ 175 C