品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

IGBT 类型： Trench Field Stop

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.67V 15V, 40A

功率 - 最大值： 231 W

开关能量： 989µJ (on), 310µJ (off)

输入类型： Standard

栅极电荷： 306 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 32ns/271ns

测试条件： 400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢复时间 (trr)： 89 ns

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-247-3

系列：

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 650 V

集电极—射极饱和电压： 1.33 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

在25 C的连续集电极电流： 80 A

Pd-功率耗散： 231 W

商标： onsemi / Fairchild

栅极—射极漏泄电流： 400 nA

产品类型： IGBT Transistors

零件号别名： FGH40T65UQDF_F155

单位重量： 6.390 g

温度： - 55 C~+ 175 C