品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： NPT 和沟道

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1000 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.9V 15V，60A

功率 - 最大值： 156 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 257 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 34ns/243ns

测试条件： 600V，60A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3P

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： NPT 和沟道

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1000 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.9V 15V，60A

功率 - 最大值： 156 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 257 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 34ns/243ns

测试条件： 600V，60A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3P

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： NPT 和沟道

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1000 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.9V 15V，60A

功率 - 最大值： 156 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 257 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 34ns/243ns

测试条件： 600V，60A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3P

温度： -55°C # 150°C（TJ）