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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4559-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥14.085251 +200：￥5.627544 +500：￥5.44178 +1000：￥5.343435	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A，3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4559-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO 下载数据手册未分类	+2500：￥88.253744	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A，3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4559-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A，3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4559-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A，3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS4559-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS4559-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥22.055472	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4559-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4559-F085 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥12.533416 +50000：￥11.283411	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDS4559-F085参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.5A，3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	55 毫欧 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	650pF 25V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）