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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGA20N120FTDTU ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 40A 298W TO3PN 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥17.101178 +10：￥14.882942 +30：￥13.484251 +100：￥12.052779 +450：￥11.40807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 40 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 60 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2V 15V，20A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： - 输入类型：标准栅极电荷： 137 nC 25°C 时 Td（开/关）值： - 测试条件： - 反向恢复时间 (trr)： 447 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGA20N120FTDTU ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 40A 298W TO3PN 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 40 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 60 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2V 15V，20A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： - 输入类型：标准栅极电荷： 137 nC 25°C 时 Td（开/关）值： - 测试条件： - 反向恢复时间 (trr)： 447 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGA20N120FTDTU ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 40A 298W TO3PN 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 40 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 60 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2V 15V，20A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： - 输入类型：标准栅极电荷： 137 nC 25°C 时 Td（开/关）值： - 测试条件： - 反向恢复时间 (trr)： 447 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGA20N120FTDTU ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 40A 298W TO3PN 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 40 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 60 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2V 15V，20A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： - 输入类型：标准栅极电荷： 137 nC 25°C 时 Td（开/关）值： - 测试条件： - 反向恢复时间 (trr)： 447 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGA20N120FTDTU ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 40A 298W TO3PN 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 40 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 60 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2V 15V，20A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： - 输入类型：标准栅极电荷： 137 nC 25°C 时 Td（开/关）值： - 测试条件： - 反向恢复时间 (trr)： 447 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FGA20N120FTDTU参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
IGBT 类型:	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）:	1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2V 15V，20A
功率 - 最大值:	298 W
开关能量:	-
输入类型:	标准
栅极电荷:	137 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	-
测试条件:	-
反向恢复时间 (trr):	447 ns
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装:	TO-3P
温度:	-55°C # 150°C（TJ）