锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 FGB40T65SPD-F0858 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGB40T65SPD-F085_未分类
FGB40T65SPD-F085
授权代理品牌

IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK

未分类

+1:

¥41.742171

+200:

¥16.161432

+500:

¥15.593214

+800:

¥15.309105

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.4V 15V,40A

功率 - 最大值: 267 W

开关能量: 970µJ(开),280µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 36 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 18ns/35ns

测试条件: 400V,40A,6 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 34 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGB40T65SPD-F085_未分类
FGB40T65SPD-F085
授权代理品牌

IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK

未分类

+100:

¥349.718513

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.4V 15V,40A

功率 - 最大值: 267 W

开关能量: 970µJ(开),280µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 36 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 18ns/35ns

测试条件: 400V,40A,6 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 34 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGB40T65SPD-F085_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK

晶体管-IGBT

+800:

¥15.884336

+1600:

¥13.39642

+2400:

¥12.726569

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.4V 15V,40A

功率 - 最大值: 267 W

开关能量: 970µJ(开),280µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 36 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 18ns/35ns

测试条件: 400V,40A,6 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 34 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGB40T65SPD-F085_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK

晶体管-IGBT

+800:

¥38.857295

+1600:

¥32.771193

+2400:

¥31.13256

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.4V 15V,40A

功率 - 最大值: 267 W

开关能量: 970µJ(开),280µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 36 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 18ns/35ns

测试条件: 400V,40A,6 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 34 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FGB40T65SPD-F085_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK

晶体管-IGBT

+1:

¥62.015203

+10:

¥55.707673

+100:

¥45.646105

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB (D²PAK)

FGB40T65SPD-F085_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK

晶体管-IGBT

+1:

¥62.015203

+10:

¥55.707673

+100:

¥45.646105

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB (D²PAK)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGB40T65SPD-F085_null
FGB40T65SPD-F085
授权代理品牌

IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK

+1:

¥72.829246

+10:

¥61.235353

+25:

¥60.745469

+100:

¥49.478165

+500:

¥49.151577

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SC-70-3

系列: FGB40T65SPD

产品种类: IGBT 晶体管

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V

集电极—射极饱和电压: 2.9 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 80 A

Pd-功率耗散: 267 W

资格: AEC-Q101

商标: onsemi / Fairchild

集电极最大连续电流 Ic: 80 A

栅极—射极漏泄电流: +/- 400 nA

产品类型: IGBT Transistors

零件号别名: FGB40T65SPD_F085

单位重量: 1.312 g

温度: - 55 C~+ 175 C

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGB40T65SPD-F085_未分类
FGB40T65SPD-F085
授权代理品牌

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

+800:

¥48.315214

+4000:

¥47.831749

+8000:

¥47.348284

+12000:

¥46.880415

+20000:

¥46.412549

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FGB40T65SPD-F085参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.4V 15V,40A
功率 - 最大值: 267 W
开关能量: 970µJ(开),280µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 36 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 18ns/35ns
测试条件: 400V,40A,6 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 34 ns
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
温度: -55°C # 175°C(TJ)