品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 150 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 225 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.3V 15V，75A

功率 - 最大值： 375 W

开关能量： 3.68mJ（开），1.6mJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 68 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 42ns/216ns

测试条件： 400V，75A，3 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 85 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 150 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 225 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.3V 15V，75A

功率 - 最大值： 375 W

开关能量： 3.68mJ（开），1.6mJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 68 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 42ns/216ns

测试条件： 400V，75A，3 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 85 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 150 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 225 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.3V 15V，75A

功率 - 最大值： 375 W

开关能量： 3.68mJ（开），1.6mJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 68 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 42ns/216ns

测试条件： 400V，75A，3 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 85 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： FGH75T65UPD

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

商标： onsemi / Fairchild

产品类型： IGBT Transistors

零件号别名： FGH75T65UPD_F155

温度： ~