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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGH75T65SHDT-F155_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 650V 150A 455W TO-247

晶体管-IGBT

+1:

¥31.721865

+10:

¥30.935101

+30:

¥30.399665

+100:

¥29.875156

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 225 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,75A

功率 - 最大值: 455 W

开关能量: 3mJ(开),750µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 123 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 28ns/86ns

测试条件: 400V,75A,3 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 76 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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FGH75T65SHDT-F155_晶体管-IGBT
FGH75T65SHDT-F155
授权代理品牌

IGBT 650V 150A 455W TO-247

晶体管-IGBT

+450:

¥110.657374

+900:

¥108.828326

+1350:

¥106.999279

+1800:

¥105.170231

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 225 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,75A

功率 - 最大值: 455 W

开关能量: 3mJ(开),750µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 123 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 28ns/86ns

测试条件: 400V,75A,3 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 76 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGH75T65SHDT-F155_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 650V 150A 455W TO-247

晶体管-IGBT

+1:

¥46.461014

+10:

¥39.82289

+100:

¥33.185936

+500:

¥29.281805

+1000:

¥26.35359

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 225 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,75A

功率 - 最大值: 455 W

开关能量: 3mJ(开),750µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 123 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 28ns/86ns

测试条件: 400V,75A,3 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 76 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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FGH75T65SHDT-F155_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 650V 150A 455W TO-247

晶体管-IGBT

+1:

¥113.655951

+10:

¥97.417339

+100:

¥81.181593

+500:

¥71.631054

+1000:

¥64.467863

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 225 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,75A

功率 - 最大值: 455 W

开关能量: 3mJ(开),750µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 123 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 28ns/86ns

测试条件: 400V,75A,3 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 76 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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FGH75T65SHDT-F155_未分类
FGH75T65SHDT-F155
授权代理品牌

IGBT 650V 150A 455W TO-247

未分类

+1:

¥109.64646

+10:

¥92.158985

+25:

¥86.912744

+100:

¥74.496638

+250:

¥70.299644

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Tube

標準包裝數量: 30

艾睿
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FGH75T65SHDT-F155_未分类
FGH75T65SHDT-F155
授权代理品牌

Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

未分类

+450:

¥61.362167

+500:

¥61.274218

+1000:

¥60.834482

+2000:

¥60.394744

+2500:

¥59.955008

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FGH75T65SHDT-F155参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,75A
功率 - 最大值: 455 W
开关能量: 3mJ(开),750µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 123 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 28ns/86ns
测试条件: 400V,75A,3 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 76 ns
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)