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FGY75N60SMD_未分类
FGY75N60SMD
授权代理品牌

IGBT 600V 150A 750W POWER-247

未分类

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¥44.277298

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¥39.54579

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¥36.671918

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¥34.256991

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-247-3 Variant

供应商器件封装: PowerTO-247-3

Digi-Key
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FGY75N60SMD_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 150A 750W POWER-247

晶体管-IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-247-3 Variant

供应商器件封装: PowerTO-247-3

FGY75N60SMD_未分类
FGY75N60SMD
授权代理品牌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-247-3 Variant

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Input Type: Standard

Reverse Recovery Time (trr): 55 ns

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A

Supplier Device Package: PowerTO-247-3

IGBT Type: Field Stop

Td (on/off) @ 25°C: 24ns/136ns

Switching Energy: 2.3mJ (on), 770µJ (off)

Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V

Gate Charge: 248 nC

Current - Collector (Ic) (Max): 150 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V

Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A

Power - Max: 750 W

Mouser
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FGY75N60SMD_晶体管
FGY75N60SMD
授权代理品牌

IGBT 600V 150A 750W POWER-247

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: Power-247

系列: FGY75N60SMD

产品种类: IGBT 晶体管

技术: Si

安装风格: Through Hole

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.9 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 150 A

Pd-功率耗散: 750 W

商标: onsemi / Fairchild

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

产品类型: IGBT Transistors

单位重量: 7.629 g

温度: ~

艾睿
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FGY75N60SMD_未分类
FGY75N60SMD
授权代理品牌

Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 750000mW 3-Pin Power-247 Tube

未分类

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¥103.96903

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¥89.338435

+25:

¥83.31315

+50:

¥82.475034

+100:

¥73.642706

库存: 0

货期:7~10 天

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FGY75N60SMD参数规格

属性 参数值
系列: -
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-247-3 Variant
供应商器件封装: PowerTO-247-3