FDD86102厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD86102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.452919 +10：￥14.5442 +30：￥11.63536 +100：￥9.696093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta），36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1035 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），62W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD86102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.703416 +10：￥8.228234 +30：￥7.419616	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta），36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1035 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），62W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD86102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.771277 +5000：￥4.591911 +12500：￥4.439876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta），36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1035 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），62W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD86102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥11.671809 +5000：￥11.233031 +12500：￥10.861113	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta），36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1035 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），62W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD86102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.846896 +10：￥21.497807 +100：￥17.113121 +500：￥14.480143 +1000：￥12.286098	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252)
FDD86102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.846896 +10：￥21.497807 +100：￥17.113121 +500：￥14.480143 +1000：￥12.286098	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD86102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥25.464402 +10：￥22.945944 +25：￥22.666116 +100：￥18.468688 +500：￥15.250658	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD86102 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥20.22288 +10：￥17.246487 +25：￥17.076874 +100：￥13.19965 +250：￥13.065217	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDD86102参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8A（Ta），36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	24 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	19 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1035 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta），62W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）