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	FGA60N65SMD ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥46.431814 +10：￥39.467054 +30：￥32.502294 +90：￥29.019914 +450：￥26.698287	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 120 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 180 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，60A 功率 - 最大值： 600 W 开关能量： 1.54mJ（开），450µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 189 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 18ns/104ns 测试条件： 400V，60A，3 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 47 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	FGA60N65SMD ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P 下载数据手册未分类	+1：￥26.072466 +10：￥22.411831 +30：￥19.527031 +90：￥17.319723 +450：￥16.303487	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 120 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 180 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，60A 功率 - 最大值： 600 W 开关能量： 1.54mJ（开），450µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 189 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 18ns/104ns 测试条件： 400V，60A，3 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 47 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	FGA60N65SMD ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥24.07174	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 120 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 180 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，60A 功率 - 最大值： 600 W 开关能量： 1.54mJ（开），450µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 189 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 18ns/104ns 测试条件： 400V，60A，3 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 47 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	FGA60N65SMD ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P 下载数据手册晶体管-IGBT	+450：￥20.684676 +900：￥19.52624 +1800：￥19.195275 +3600：￥18.864309	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 120 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 180 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，60A 功率 - 最大值： 600 W 开关能量： 1.54mJ（开），450µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 189 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 18ns/104ns 测试条件： 400V，60A，3 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 47 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FGA60N65SMD ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P 下载数据手册晶体管-IGBT	+10：￥38.507238 +100：￥36.144294 +500：￥33.839694 +1000：￥33.256251	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 120 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 180 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，60A 功率 - 最大值： 600 W 开关能量： 1.54mJ（开），450µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 189 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 18ns/104ns 测试条件： 400V，60A，3 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 47 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	FGA60N65SMD ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥37.358898 +10：￥33.758966 +100：￥27.949421 +500：￥24.338022 +1000：￥21.197628	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 120 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 180 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，60A 功率 - 最大值： 600 W 开关能量： 1.54mJ（开），450µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 189 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 18ns/104ns 测试条件： 400V，60A，3 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 47 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGA60N65SMD ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥100.053075 +30：￥57.140403 +120：￥47.70237 +510：￥40.78402 +1020：￥40.126333	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 120 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 180 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，60A 功率 - 最大值： 600 W 开关能量： 1.54mJ（开），450µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 189 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 18ns/104ns 测试条件： 400V，60A，3 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 47 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGA60N65SMD ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P 下载数据手册未分类	+1：￥100.326504 +10：￥98.502386 +30：￥61.854192 +120：￥51.572799 +2520：￥49.74868	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 30

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGA60N65SMD ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 下载数据手册未分类	+30：￥53.723256 +120：￥39.684941 +2520：￥39.297998	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGA60N65SMD onsemi(安森美) 授权代理品牌	IGBT, 650V, 120A, TO-3PN 下载数据手册未分类	+1：￥52.409656 +10：￥31.717953 +100：￥30.204547 +500：￥30.115521 +1000：￥29.517789	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FGA60N65SMD参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
IGBT 类型:	场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）:	650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	180 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.5V 15V，60A
功率 - 最大值:	600 W
开关能量:	1.54mJ（开），450µJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	189 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	18ns/104ns
测试条件:	400V，60A，3 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	47 ns
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装:	TO-3P
温度:	-55°C # 175°C（TJ）